針對各種CVD膜，高硬度不易加工的沉積物、鑽石刀輪等以紫外光雷射切割方式製作，適用於精度要求較高、傳統加工不易施做的物件。可依客戶需求切割各種形狀。

適合材料：金屬、非金屬及超硬鑽石模

鑽切厚度：0.2mm以下

加工孔徑：50μm以上

錐度：5度

位置精度：5μm以內

加工面積：150mm*150mm

各式陶瓷基板雷射切割 ( laser cutting )、雷射劃線 ( laser scribing)，各類燒結陶瓷或低溫共燒陶瓷，如氧化鋁、氧化鋯、氮化鋁、氮化硼、LTCC、 LED陶瓷基板、功率元件散熱基板 等切割及劃線，UV雷射加工線寬小、精度高，適合各類需要高精度的應用。
適合材料：Al2O3、AlN、SiC、BN、Green Tape 等陶磁材料。
鑽切厚度：0.5mm以下
劃線厚度：2mm以下
加工孔徑：60μm以上
錐度：可任意控制0 ~ 5度
加工精度：孔徑 ±1μm
位置精度：5μm以內
加工面積：150mm*150mm

雷射加工目前運用於探針卡(Probe Card)業界，用於製作Probe Card Guiding Plate，利用紫外光雷射微細加工( UV Laser Micromachining )的特性，於陶瓷材料(含氮化矽、碳化矽、氮化鋁等)上製作微細孔。本公司以超越業界的技術，開發出可以調整錐度的鑽孔技術，目前已提供代工服務於各大半導體廠，以及美日多個國際知名廠商。
適用材料：SiC、Si3N4、AlN等材料
鑽切厚度：0.5mm以下
加工孔徑：60μm以上
錐度：可任意控制0 ~ 5度
加工精度：孔徑 ±1μm
位置精度：5μm以內
加工面積：150mm*150mm

雷射加工於Probe Card的另一項運用，係在高分子材料上以紫外光雷射鑽孔，利用紫外光雷射剝離(laser ablation)的特性，具備高解析度及低熱效應的加工製程，製作更細微的孔徑、更小的孔徑間距，目前也已屬穩定量產。
適用材料：PI、Mylar、Kapton、Polyimide等材料
鑽切厚度：0.15mm以下
加工孔徑：10μm以上
錐度：5度
加工精度：孔徑 ±1μm
位置精度：5μm以內
加工面積：150mm*150mm

依照客戶設計圖檔加工，可以開出高深寬比及高精度之微孔或微流道，以供客戶製作生物晶片或微機電(MEMS)等微細加工製程使用。
適合材料：玻璃、矽晶片、壓克力、PMMA
最小線寬：10μm
加工孔徑：10μm以上
最大深寬比：1:10
加工精度：孔徑 ±1μm
位置精度：5μm以內
加工面積：150mm*150mm

玻璃及矽晶片這類易碎材料的鑽孔切割一直是加工中較難處理的一環，傳統加工幾乎不可能派的上用場，微新精密對此類易碎材料投入許多心思，切割出領先業界的品質。可應用於玻璃基板、Pyrex Glass、Quartz、Si Wafer 、Sapphire、鑽石刀輪及Solar Cell與Photovoltaic的材料等 ，利用雷射切割、鑽孔、劃線及雕刻。
適用材料：玻璃、矽晶片、太陽能矽晶片
鑽切厚度：1mm以下
加工孔徑：玻璃400μm以上
加工孔徑：矽晶片250μm以上
加工面積：150mm*150mm

各式精密微軸承環 (Micro Bearing)、微噴嘴(Micro Nozzle)及微針孔(Micro Pinhole)等需要高硬度之耐磨元件製造，適合各類燒結陶瓷或低溫共燒陶瓷材料及各式單晶材料，如碳化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、氮化硼等各類材料，UV雷射加工線寬小、精度高，適合各類需要高精度的應用。
適用材料：Al2O3、AlN、SiC、 BN等陶磁 材料。
尺寸厚度：1.0mm以下
加工孔徑：50μm以上
錐度：可任意控制0 ~ 10度
加工精度：孔徑 ±2μm
位置精度：5μm以內
加工面積：150mm*150mm